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肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。其多用...
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肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。其多用...
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肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。其多用...
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熔斷器（fuse）是指當電流超過規定值時，以本身產生的熱量使熔體熔斷，斷開電路的一種電器。熔斷器是根據電流超過規定值一段時間后，以其自身產生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開；運用這種原理制成的一種電流...
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肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。其多用...
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MOS晶體管模塊GENESIC現貨供應，MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-...
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富士電機IGBT模塊已開發用作電機變速驅動器的功率轉換器的開關元件，不間斷電源等。IGBT是一種半導體器件，它將功率MOSFET的高速開關性能與雙極晶體管的高電壓/高電流處理能力相結合。模塊 富士FU...
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富士FUJI模塊現貨供應，絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應晶體管（...
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分立二極管主要有三種封裝形式：軸向二極管、螺栓型以及平板型。按性能分雪崩型、快恢復型、標準恢復型、（平板型）焊接二極管。晶閘管模塊ECOSEMITEK原廠原裝現貨供應
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晶體閘流管（Thyristor）又稱作可控硅整流器，曾被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發出晶閘管產品，并于1958年使其商業化。晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極...
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快速恢復二極管也常用普通二極管的圖形符號來表示，用文字說明或在型號上予以區別。快速恢復二極管與普通二極管相似，但制造工藝與普通一極管有所不同。在靠近PN結處的摻雜濃度很低，以此獲得較高的開關速度和較低...
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